• Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd
    John Wilson
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  • Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd
    Mia
    Questa azienda è la migliore che abbia mai visto. I dipendenti della società sono particolarmente entusiasti e in grado di rispondere e soddisfare le nostre esigenze. Se ci sarà un bisogno in futuro, lavorerò ancora con voi!
Persona di contatto : sabrina.chen
Numero di telefono : +86 15836043611

PVD Coating Tungstene Target Round Mirror Polishing Tungstene Legato Prodotti

Numero di modello Obiettivo di tungsteno
Quantità di ordine minimo negozii
Prezzo Negitionable
Imballaggi particolari Scatole standard per esportazione
Tempi di consegna 30 giorni dopo aver ricevuto l'acconto
Termini di pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di alimentazione 10000sets/month

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Dettagli
nome Obiettivo di tungsteno Forma rotondo
Materiale TUNGSTENO Composizione chimica W 99,95% min.
Circostanza di superficie Lavorare, lucidare o lucidare specchi Applicazione Rivestimento di PVD
Evidenziare

Obiettivo di tungsteno per rivestimento PVD

,

Prodotti in lega di tungsteno con rivestimento PVD

,

Prodotti in lega di tungsteno per lucidare specchi

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Descrizione di prodotto

PVD Coating Tungsten Alloy Products Target di tungsteno 99,95% Min.

 

Il tungsteno target è un metallo raro con un elevato punto di fusione, appartenente al gruppo VIB del sesto periodo (il secondo periodo lungo) della tavola periodica.Il tungsteno è un metallo bianco argenteo che sembra acciaioIl tungsteno ha un punto di fusione elevato, una bassa pressione di vapore e un basso tasso di evaporazione.

 

Parametro

 

OD ((mm)

ID ((mm)

Lunghezza ((mm)

Prodotto su misura

140-300

120-280

100-3300

 

 

Numero di modello

W1

Forma

personalizzato

Composizione chimica

990,95% W

 

Specificità

 

Numero atomico

74

Numero CAS

7440-33-7

Massa atomica

1830,84 [g/mol]

Punto di fusione

3420 °C

Punto di ebollizione

5555 °C

Densità a 20 °C

19.25 [g/cm3]

Struttura cristallina

Cubo centrato sul corpo

Coefficiente di espansione termica lineare a 20 °C

4.410-6[m/mK]

Conduttività termica a 20 °C

164 [W/mK]

Calore specifico a 20 °C

0.13 [J/gK]

Conduttività elettrica a 20 °C

18.2106[S/m]

Resistenza elettrica specifica a 20 °C

0.055 [(mm2)/m]

 

Applicazioni

 

semiconduttore

Deposito di vapore chimico (CVD)

Display di deposizione fisica dei vapori (PVD)